MMDT3906_R1_00001 دیتاشیت

MMDT3906_R1_00001

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMDT3906_R1_00001
حجم فایل 64.743 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت MMDT3906_R1_00001

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: PANJIT International MMDT3906_R1_00001
  • Transistor Type: 2PCSPNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 200mA
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@10mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 50nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@50mA,5mA
  • Package: SOT-363
  • Manufacturer: PANJIT International

محصولات مشابه